光是LED封裝的目的，熱是關(guān)鍵，電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段，而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本而言，LED封裝設(shè)計(jì)應(yīng)與芯片設(shè)計(jì)同時(shí)進(jìn)行，即芯片設(shè)計(jì)時(shí)就應(yīng)該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。否則，等芯片制造完成后，可能由于封裝的需要對(duì)芯片結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，從而延長(zhǎng)了產(chǎn)品研發(fā)周期和工藝成本，有時(shí)甚至不可能。
具體而言，大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)包括：一、低熱阻封裝工藝對(duì)于現(xiàn)有的LED光效水平而言，由于輸入電能的80％左右轉(zhuǎn)變成為熱量，且LED芯片面積小，因此，芯片散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設(shè)計(jì)等。
二、高取光率封裝結(jié)構(gòu)與工藝在LED使用過(guò)程中，輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子在向外發(fā)射時(shí)產(chǎn)生的損失，主要包括三個(gè)方面：芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷以及材料的吸收；光子在出射界面由于折射率差引起的反射損失；以及由于入射角大于全反射臨界角而引起的全反射損失。因此，很多光線無(wú)法從芯片中出射到外部。通過(guò)在芯片表面涂覆一層折射率相對(duì)較高的透明膠層(灌封膠)，由于該膠層處于芯片和空氣之間，從而有效減少了光子在界面的損失，提高了取光效率。此外，灌封膠的作用還包括對(duì)芯片進(jìn)行機(jī)械保護(hù)，應(yīng)力釋放，并作為一種光導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此，要求其透光率高，折射率高，熱穩(wěn)定性好，流動(dòng)性好，易于噴涂。為提高LED封裝的可靠性，還要求灌封膠具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹(shù)脂和硅膠。硅膠由于具有透光率高，折射率大，熱穩(wěn)定性好，應(yīng)力小，吸濕性低等特點(diǎn)，明顯優(yōu)于環(huán)氧樹(shù)脂，在大功率LED封裝中得到廣泛應(yīng)用，但成本較高。研究表明，提高硅膠折射率可有效減少折射率物理屏障帶來(lái)的光子損失，提高外量子效率，但硅膠性能受環(huán)境溫度影響較大。隨著溫度升高，硅膠內(nèi)部的熱應(yīng)力加大，導(dǎo)致硅膠的折射率降低，從而影響LED光效和光強(qiáng)分布。
三、陣列封裝與系統(tǒng)集成技術(shù)經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展，LED封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)先后經(jīng)歷了四個(gè)階段，
1、引腳式(Lamp)LED封裝引腳式封裝就是常用的3－5mm封裝結(jié)構(gòu)。一般用于電流較小(20－30mA)，功率較低(小于0、1W)的LED封裝。主要用于儀表顯示或指示，大規(guī)模集成時(shí)也可作為顯示屏。其缺點(diǎn)在于封裝熱阻較大(一般高于100K/W)，壽命較短。2、表面組裝(貼片)式(SMT－LED)封裝表面組裝技術(shù)(SMT)是一種可以直接將封裝好的器件貼、焊到PCB表面指定位置上的一種封裝技術(shù)。具體而言，就是用特定的工具或設(shè)備將芯片引腳對(duì)準(zhǔn)預(yù)先涂覆了粘接劑和焊膏的焊盤(pán)圖形上，然后直接貼裝到未鉆安裝孔的PCB表面上，經(jīng)過(guò)波峰焊或再流焊后，使器件和電路之間建立可靠的機(jī)械和電氣連接。SMT技術(shù)具有可靠性高、高頻特性好、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)，是電子行業(yè)最流行的一種封裝技術(shù)和工藝。3、板上芯片直裝式(COB)LED封裝COB是ChipOnBoard(板上芯片直裝)的英文縮寫(xiě)，是一種通過(guò)粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上，再通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。PCB板可以是低成本的FR－4材料(玻璃纖維增強(qiáng)的環(huán)氧樹(shù)脂)，也可以是高熱導(dǎo)的金屬基或陶瓷基復(fù)合材料(如鋁基板或覆銅陶瓷基板等)。而引線鍵合可采用高溫下的熱超聲鍵合(金絲球焊)和常溫下的超聲波鍵合(鋁劈刀焊接)。COB技術(shù)主要用于大功率多芯片陣列的LED封裝，同SMT相比，不僅大大提高了封裝功率密度，而且降低了封裝熱阻(一般為6-12W/m、K)。4、系統(tǒng)封裝式(SiP)LED封裝SiP(SysteminPackage)是近幾年來(lái)為適應(yīng)整機(jī)的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求，在系統(tǒng)芯片System電源、控制電路、光學(xué)微結(jié)構(gòu)、傳感器等)集成在一起，構(gòu)建成一個(gè)更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比，SiP具有工藝兼容性好(可利用已有的電子封裝材料和工藝)，集成度高，成本低，可提供更多新功能，易于分塊測(cè)試，開(kāi)發(fā)周期短等優(yōu)點(diǎn)。按照技術(shù)類型不同，SiP可分為四種：芯片層疊型，模組型，MCM型和三維(3D)封裝型。深圳市歐普特工業(yè)材料有限公司專業(yè)生產(chǎn)RTV單組份硅橡膠、電子硅膠,有機(jī)硅膠,加成型硅橡膠、環(huán)氧樹(shù)脂灌封膠,led灌封膠。

四、封裝大生產(chǎn)技術(shù)晶片鍵合(Waferbonding)技術(shù)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片(Wafer)上進(jìn)行，封裝完成后再進(jìn)行切割，形成單個(gè)的芯片(Chip)；與之相對(duì)應(yīng)的芯片鍵合(Diebonding)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路在晶片上完成后，即進(jìn)行切割形成芯片(Die)，然后對(duì)單個(gè)芯片進(jìn)行封裝(類似現(xiàn)在的LED封裝工藝)，如圖6所示。很明顯，晶片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝費(fèi)用在LED器件制造成本中占了很大比例，因此，改變現(xiàn)有的LED封裝形式(從芯片鍵合到晶片鍵合)，將大大降低封裝制造成本。此外，晶片鍵合封裝還可以提高LED器件生產(chǎn)的潔凈度，防止鍵合前的劃片、分片工藝對(duì)器件結(jié)構(gòu)的破壞，提高封裝成品率和可靠性，因而是一種降低封裝成本的有效手段。
五、封裝可靠性測(cè)試與估LED器件的失效模式主要包括電失效(如短路或斷路)、光失效(如高溫導(dǎo)致的灌封膠黃化、光學(xué)性能劣化等)和機(jī)械失效(如引線斷裂，脫焊等)，而這些因素都與封裝結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)。LED的使用壽命以平均失效時(shí)間(MTTF)來(lái)定義，對(duì)于照明用途，一般指LED的輸出光通量衰減為初始的70％(對(duì)顯示用途一般定義為初始值的50％)的使用時(shí)間。由于LED壽命長(zhǎng)，通常采取加速環(huán)境試驗(yàn)的方法進(jìn)行可靠性測(cè)試與估。測(cè)試內(nèi)容主要包括高溫儲(chǔ)存(100℃，1000h)、低溫儲(chǔ)存(－55℃，1000h)、高溫高濕(85℃/85％，1000h)、高低溫循環(huán)(85℃～－55℃)、熱沖擊、耐腐蝕性、抗溶性、機(jī)械沖擊等。然而，加速環(huán)境試驗(yàn)只是問(wèn)題的一個(gè)方面，對(duì)LED壽命的預(yù)測(cè)機(jī)理和方法的研究仍是有待研究的難題。